本标准规定了用区熔法和光谱分析法评价颗粒状多晶硅的代位碳原子浓度、施主杂质浓度和受主杂质浓度的方法。本标准适用于尺寸为600 μm～3 000 μm的颗粒状多晶硅，其他尺寸的颗粒状多晶硅可参照本标准执行。

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本标准规定了电感耦合等离子体质谱仪（ICP-MS)测定电子级多晶硅中痕量基体金属杂质含量的方法。
本标准适用于GB/T 12963中在基体金属杂质小于5 ng/g范围内铁、铬、镍、铜、锌、钠含量的测定。

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GB/T 37211的本部分规定了还原锗锭、还原锗粉、区熔锗锭及其废料、锗单晶及其废料等锗金属中铝、铁、铜、镍、铅、钙、镁、钴、铟、锌含量的测定方法。
本部分适用于金属锗中杂质元素铝、铁、铜、镍、铅、钙、镁、钴、铟、锌等含量的测定。测定范围：0.005×10-4%～1.00×10-4%。

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本文件规定了辉光放电质谱法测定金属锗中痕量杂质元素含量的方法。本文件适用于金属锗中痕量杂质元素含量的测定，测定范围为0.001 mg/kg～2 mg/kg。

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本标准规定了硅中氯离子含量的离子色谱测定方法。
本标准适用于测定棒状、块状、颗粒状和片状硅中氯离子含量的测定。测定范围为1.0 μg/g至硅中氯离子的最大固溶度。

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本标准规定了半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法。本标准适用于电阻率大于106Ω·cm的非掺杂和碳掺杂半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的测定。测量范围：室温下从1.0×1015 atoms/cm3到代位碳原子的最大溶解度，77 K时检测下限为4.0×1014 atoms/cm3。

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本标准规定了采用惰性气体熔融及红外技术测试硅材料中氧含量的方法。
本标准适用于不同导电类型、不同电阻率范围的硅单晶、多晶硅中氧含量的测试，测试范围为2.5×1015 cm-3（0.05 ppma)～2.5×1018 cm-3（50 ppma)。
注： 硅材料中的氧含量以每立方厘米中的原子数计。

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本标准规定了多晶硅中基磷含量的检验方法。本标准适用于在硅芯上沉积生长的多晶硅棒中基磷含量（原子数)的测定，测定范围为0.01×1013 cm-3～500×1013 cm-3。

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本标准规定了多晶硅中基硼含量的测试方法。本标准适用于在硅芯上沉积生长的多晶硅棒中基硼含量的测定。基硼含量（原子数）测定范围为0.01×1013 cm－3～5×1015 cm－3。

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本文件规定了碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的二次离子质谱测试方法。本文件适用于碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的定量分析，测定范围为硼含量不小于5×1013 cm-3、铝含量不小于5×1013 cm-3、氮含量不小于5×1015 cm-3，元素浓度(原子个数百分比)不大于1%。

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本文件描述了氮化铝单晶中痕量镁和镓含量及分布的二次离子质谱测试方法。
本文件适用于氮化铝单晶中痕量镁和镓含量及分布的定量测定，测定范围为镁、镓的含量均不小于1×1016 cm-3，元素含量（原子个数百分比）不大于1%。
注：氮化铝单晶中待测元素的含量以每立方厘米中的原子个数计。

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本文件描述了用酸从多晶硅表面浸取金属杂质，并用电感耦合等离子质谱仪定量检测多晶硅表面金属杂质含量的方法。本文件适用于太阳能级多晶硅和电子级多晶硅表面碱金属、碱土金属和第一系列过渡元素如钠、钾、钙、铁、镍、铜、锌、铝等杂质元素含量的测定，测定范围为0.01 ng/g。

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