本标准规定了采用高质量分辨率辉光放电质谱法测量太阳能级硅中痕量元素的方法。本标准适用于太阳能级硅材料中痕量元素的测定，其中铁（Fe）、铬（Cr）、镍（Ni）、铜（Cu）、锌（Zn）、硼（B）、磷（P）、钙（Ca）、钠（Na）、镁（Mg）、铝（Al）、砷（As）、钪（Sc）、钛（Ti）、钒（V）、锰（Mn）、钴（Co）、镓（Ga）等元素的测定范围为5 μg/kg～50 mg/kg。本方法适用于分析多种物理形态的以及添加任何种类和浓度掺杂剂的硅材料，例如多晶硅粉末、颗粒、块、锭、片和单晶硅棒、块、片等。

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本文件规定了流化床法颗粒硅的牌号、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存和随行文件及订货单内容。
本文件适用于以氯硅烷、硅烷气为原料，采用流化床法生产的颗粒状多晶硅(以下简称颗粒硅)。

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本标准规定了直径200 mm硅外延片的术语和定义、产品分类、要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书。本标准适用于在N型和P型硅抛光衬底片上外延生长的硅外延片。产品主要用于制作集成电路或半导体器件。

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本文件描述了用脉冲加热惰性气体熔融红外吸收法测定颗粒硅中氢含量的方法。
本文件适用于流化床法颗粒硅中氢含量的测定，其他硅材料参照使用。
注： 本文件测定氢含量的范围取决于所用氢分析仪的量程，最大测定范围为氢量0.000 08 mg～2.5 mg。以质量分数（%）表示的氢分析仪的测定范围因称取样品量的不同而不同。例如，1 g样品最大测定范围的质量分数为0.000 008%～0.25%；0.15 g样品最大测定范围的质量分数为0.000 06%～1.66%。

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本文件规定了埋层硅外延片的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存、随行文件和订货单内容。
本文件适用于具有埋层结构的硅外延片的生产制造、测试分析和质量评价，产品主要用于制作集成电路芯片和半导体分立器件。

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本文件规定了电子级多晶硅的牌号和类别、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件和订货单内容。本文件适用于以氯硅烷、硅烷制得的电子级多晶硅（以下简称“多晶硅”）。

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本标准规定了用光学投影仪测量硅片直径的方法。本标准适用于测量圆形硅片的直径，可测最大直径为300 mm。本标准不适用于测量硅片的不圆度。

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本文件规定了硅单晶退火片（以下简称退火片）的分类、技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、运输、贮存、随行文件及订货单内容。
本文件适用于通过退火工艺在硅单晶抛光片表面形成一定宽度洁净区的硅片，产品用于技术代180 nm～22 nm的集成电路。

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本标准规定了太阳能电池用锗单晶棒的术语、产品分类、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单内容。
本标准适用于垂直梯度凝固法(VGF)和直拉法(CZ)制备的太阳能电池用锗单晶滚圆棒。

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本标准规定了太阳能电池用铸造多晶硅块（以下简称硅块）的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单（或合同）内容。
本标准适用于从铸造技术制备的硅锭上切割得到的准方形多晶硅块（包括类单晶硅块）。

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本标准规定了直径300 mm、p型、〈100〉晶向、电阻率0.5 Ω·cm～20 Ω·cm规格的硅单晶抛光片的术语和定义、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。
本标准适用于直径300 mm直拉单晶磨削片经双面抛光制备的硅单晶抛光片，产品主要用于满足集成电路IC用线宽90 nm技术需求的衬底片。

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本标准规定了直径300 mm、p型、<100>晶向、电阻率0.5Ω·cm～20Ω·cm的硅单晶切割片和磨削片(简称硅片)产品的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存等。
本标准适用于直径300 mm直拉单晶经切割、磨削制备的圆形硅片，产品将进一步加工成抛光片，用于制作集成电路IC用线宽90　nm技术需求的衬底片。

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本标准规定了用二次离子质谱仪（SIMS）测定光伏电池用硅材料中硼和铝含量的方法。
本标准适用于光伏电池用硅材料中受主杂质硼和铝含量的定量分析，其中硼和铝的浓度均大于1×1013atoms/cm3。其他受主杂质的测量也可参照本标准。

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本标准规定了用二次离子质谱仪（SIMS）测定光伏电池用硅材料中磷、砷和锑含量的方法。
本标准适用于光伏电池用硅材料中施主杂质磷、砷和锑含量的定量分析，其中磷、砷和锑的浓度均大于1×1014atoms/cm3。

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