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GB/T 38446-2020 微机电系统(MEMS)技术 带状薄膜抗拉性能的试验方法 现行 发布日期 :  2020-03-06 实施日期 :  2020-10-01

本标准规定了带状薄膜抗拉性能的试验方法及数据处理。本标准适用于厚度在50 nm到数微米之间且长度和厚度的比值大于300的样品,也可用于MEMS产品带状薄膜结构的质量监控。

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GB/T 38762.1-2020 产品几何技术规范(GPS) 尺寸公差 第1部分:线性尺寸 现行 发布日期 :  2020-04-28 实施日期 :  2020-11-01

GB/T 38762的本部分建立了线性尺寸的缺省规范操作集(见GB/T 24637.2),并规定了面向“圆柱面”“球面”“圆环面”1)“两相对平行面”以及“两相对平行直线”等尺寸要素类型的线性尺寸若干特定规范操作集。此外,本部分还规定了线性尺寸的规范修饰符及其图样表达。

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GB/T 38762.3-2020 产品几何技术规范(GPS) 尺寸公差 第3部分:角度尺寸 现行 发布日期 :  2020-04-28 实施日期 :  2020-11-01

GB/T 38762的本部分建立了角度尺寸的缺省规范操作集,并为下列角度尺寸要素定义了一系列特定规范操作集:圆锥(截断如圆台或未截断)、楔形(截断或未截断)、两条相对直线(由垂直于楔形/截断楔形两平面相交直线的平面与楔形/截断楔形相交得到,由包含圆锥/圆台轴线的平面与圆锥/圆台相交得到),见图1和图2。
本部分还规定了上述角度尺寸的规范修饰符和图样标注。

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GB/T 41853-2022 半导体器件 微机电器件 晶圆间键合强度测量 现行 发布日期 :  2022-10-12 实施日期 :  2022-10-12

本文件规定了晶圆键合后键合强度的测量方法,适用于硅硅共熔键合、硅玻璃阳极键合等多种晶圆键合方式,以及MEMS工艺、组装流程中相关结构尺寸的键合强度的评估。
本文件适用于从十微米到几毫米厚的晶圆间的键合强度测量。

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GB/T 35005-2018 集成电路倒装焊试验方法 现行 发布日期 :  2018-03-15 实施日期 :  2018-08-01

本标准规定了倒装焊集成电路封装工艺中凸点共面性、凸点剪切力、芯片剪切拉脱力、焊点缺陷、底部填充缺陷等方面相关的物理试验方法。本标准适用于陶瓷封装或塑料封装的倒装焊单片集成电路。

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GB/T 35010.1-2018 半导体芯片产品 第1部分:采购和使用要求 现行 发布日期 :  2018-03-15 实施日期 :  2018-08-01

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GB/T 35010.3-2018 半导体芯片产品 第3部分:操作、包装和贮存指南 现行 发布日期 :  2018-03-15 实施日期 :  2018-08-01

GB/T 35010的本部分给出了半导体芯片产品操作、包装和贮存过程中的一般要求。本部分适用于指导半导体芯片产品(以下简称芯片产品)的操作、包装、贮存和使用。本部分所指的半导体芯片产品包括:--晶圆;--单个裸芯片;--带有互连结构的芯片和晶圆;--最小或部分封装芯片和晶圆。

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GB/T 35010.6-2018 半导体芯片产品 第6部分:热仿真要求 现行 发布日期 :  2018-03-15 实施日期 :  2018-08-01

GB/T 35010的本部分用于指导半导体芯片产品的生产、供应和使用,半导体芯片产品包括:●〓晶圆;●〓单个裸芯片;●〓带有互连结构的芯片和晶圆;●〓最小或部分封装的芯片和晶圆。本部分规定了所需的热仿真信息,在于促进电子系统热学行为和功能验证仿真模型的使用。电子系统包括带或不带互连结构的半导体裸芯片,和(或)最小封装的半导体芯片。本部分是为了使芯片产品供应链所有的环节都满足IEC 622581和IEC 622582的要求。

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GB/T 35010.8-2018 半导体芯片产品 第8部分:数据交换的EXPRESS格式 现行 发布日期 :  2018-03-15 实施日期 :  2018-08-01

GB/T 35010的本部分用于指导半导体芯片产品的生产、供应和使用。其中半导体芯片产品包括:●〓晶圆;●〓单个裸芯片;●〓带有互连结构的芯片和晶圆;●〓最小或部分封装的芯片和晶圆。本部分规定了数据交换所需元素的EXPRESS格式;满足IEC 622581、IEC 622585及IEC 622586的实施要求;补充IEC 622582中定义的数据交换结构;兼容且补充IEC 622584中的信息表。

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GB/T 35086-2018 MEMS电场传感器通用技术条件 现行 发布日期 :  2018-05-14 实施日期 :  2018-12-01

本标准规定了MEMS电场传感器(以下简称“传感器”)的原材料、结构组成、技术要求、试验项目和方法、检验规则、包装、存储和运输。
本标准适用于MEMS电场传感器的研制、生产和采购。其他类型的电场传感器可参照使用。

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GB/T 36614-2018 集成电路 存储器引出端排列 现行 发布日期 :  2018-09-17 实施日期 :  2019-01-01

本标准规定了半导体集成电路存储器的引出端排列。本标准适用于半字节动态存储器、字宽动态存储器、字节宽动态存储器、半字节同步动态存储器、字节宽同步动态存储器、字宽同步动态存储器的引出端排列。

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GB/T 26113-2010 微机电系统(MEMS)技术 微几何量评定总则 现行 发布日期 :  2011-01-10 实施日期 :  2011-10-01

本标准规定了微几何量的评定基本原则、评定要素、评定程序、评定方法以及评定规则。
本标准适用于企业、研究机构、检测机构等从事微机电技术及产品的研究、设计、生产、检测。

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GB/T 26113-2010e 微机电系统(MEMS)技术微几何量评定总则 现行 发布日期 :  2011-01-10 实施日期 :  2011-10-01

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GB/T 14030-1992 半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理 现行 发布日期 :  1992-12-18 实施日期 :  1993-08-01

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GB/T 14032-1992 半导体集成电路数字锁相环测试方法的基本原理 现行 发布日期 :  1992-12-18 实施日期 :  1993-08-01

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