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本标准详细说明了用标定的均匀掺杂物质(用注入硼的参考物质校准)确定单晶硅中硼的原子浓度的二次离子质谱方法。它适用于均匀掺杂硼浓度范围从1×10 16 atoms/cm 3~1×10 20 atoms/cm3。

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GB/T 17365-1998 金属与合金电子探针定量分析样品的制备方法 现行 发布日期 :  1998-05-08 实施日期 :  1998-12-01

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GB/T 17366-1998 矿物岩石的电子探针分析试样的制备方法 现行 发布日期 :  1998-05-08 实施日期 :  1998-12-01

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GB/T 26533-2011 俄歇电子能谱分析方法通则 现行 发布日期 :  2011-05-12 实施日期 :  2011-12-01

本标准规定了以电子束为激发源的俄歇电子能谱(AES,Auger Electron Spectroscopy)的一般表面分析方法。
本标准适用于俄歇电子能谱仪。

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本标准规定了采用电子显微镜高角环形暗场成像技术对贵金属纳米颗粒成像的方法。本标准适用于单一贵金属纳米颗粒和复合材料中贵金属纳米颗粒的成像。

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This standard specifies a method of imaging noble metal nanoparticles using high angle annular dark field imaging technique of electron microscope.
This standard is applicable to imaging of noble metal nanoparticles with single-type of element and noble metal nanoparticles in composite materials.

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GB/T 6360-1995 激光功率能量测试仪器规范 现行 发布日期 :  1995-07-24 实施日期 :  1996-01-01

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本文件规定了用透射电子显微镜/扫描透射电子显微镜(TEM/STEM)测定集成电路芯片中功能薄膜层厚度的方法。本文件适用于测定几个纳米以上厚度的集成电路芯片中功能薄膜层。

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本文件描述了利用透射电子显微镜图像处理和分析技术进行纳米颗粒在多相体系中分散的粒径测量方法。本文件适用于固相多相体系中纳米颗粒的粒径测量和粒径分布。本文件也适用于在样品制备满足透射电子显微镜观察要求时的胶体和生物组织中纳米颗粒粒径测量。

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本文件规定了用层状材料截面像所记录的两种不同材料之间平均界面位置的测定方法。本文件适用于透射电子显微镜(TEM)或扫描透射电子显微镜(STEM)所记录的层状材料截面像和X射线能谱仪(EDS)或者电子能量损失谱仪(EELS)所记录的截面元素面分布图。也适用于由数码相机、电脑存储器和成像板图像传感器所采集的数字像以及胶片记录的模拟像经扫描仪转换的数字像。本文件不适用于测定多层模拟法(MSS)获得的界面位置。〓〓

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GB/T 17506-1998 船舶黑色金属腐蚀层的电子探针分析方法 被代替 发布日期 :  1998-10-16 实施日期 :  1999-07-01

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GB/T 17507-1998 电子显微镜 X射线能谱分析生物薄标样通用技术条件 被代替 发布日期 :  1998-10-16 实施日期 :  1999-07-01

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GB/T 18151-2008 激光防护屏 被代替 发布日期 :  2008-12-15 实施日期 :  2009-10-01

本标准详细说明了永久和临时(例如维修时)用来围封激光加工机工作区域的激光防护屏以及专用激光防护屏的要求。
本标准适用于包括目视透明屏及视窗、平板、激光帘和壁在内的一个防护屏的全部组件。对光路组件、快门和不完全围封加工区的激光产品防护罩的要求包含在GB 7247.1中。

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GB/T 18735-2002 分析电镜(AEM/EDS)纳米薄标样通用规范 被代替 发布日期 :  2002-05-22 实施日期 :  2002-12-01

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GB/T 15074-1994 电子探针定量分析方法通则 被代替 发布日期 :  1994-05-09 实施日期 :  1994-12-01

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