微信公众号随时随地查标准

QQ交流1群(已满)

QQ群标准在线咨询2

QQ交流2群

购买标准后,可去我的标准下载或阅读

GB/T 1551-2021 硅单晶电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法 现行 发布日期 :  2021-05-21 实施日期 :  2021-12-01

本文件规定了用直排四探针法和直流两探针法测试硅单晶电阻率的方法。
本文件适用于硅单晶电阻率的测试,其中直排四探针法可测试的p型硅单晶电阻率范围为7×10-4 Ω·cm~8×103 Ω·cm,n型硅单晶电阻率范围为7×10-4 Ω·cm~1.5×104 Ω·cm;直流两探针法适用于测试截面积均匀的圆形、方形或矩形硅单晶的电阻率,测试范围为1×10-3 Ω·cm~1×104 Ω·cm,样品长度与截面最大尺寸之比不小于3:1。硅单晶其他范围电阻率的测试可参照本文件进行。

定价: 49元 / 折扣价: 42 加购物车

在线阅读 收 藏
GB/T 1551-2009 硅单晶电阻率测定方法 被代替 发布日期 :  2009-10-30 实施日期 :  2010-06-01

本方法规定了用直排四探针法测量硅单晶电阻率的方法。本方法适用于测量试样厚度和从试样边缘与任一探针端点的最近距离二者均大于探针间距的4倍的硅单晶体电阻率以及测量直径大于探针间距10倍、厚度小于探针间距4倍的硅单晶圆片的电阻率。本方法可测定的硅单晶电阻率范围为1×10 -3 Ω·cm~3×10 3 Ω·cm。

定价: 43元 / 折扣价: 37 加购物车

在线阅读 收 藏
GB/T 1551-1995 硅、锗单晶电阻率测定 直流两探针法 被代替 发布日期 :  1995-04-18 实施日期 :  1995-12-01

定价: 24元 / 折扣价: 21 加购物车

在线阅读 收 藏
3 条记录,每页 15 条,当前第 1 / 1 页 第一页 | 上一页 | 下一页 | 最末页  |     转到第   页  
Baidu
map