本标准规定了硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法。
本标准适用于低位错单晶硅中导电性杂质硼和磷含量的同时测定。
本标准用于检测单晶硅中含量为1×1011 at·cm-3~5×1015 at·cm-3的各种电活性杂质元素。

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本标准规定了用高分辨X射线衍射测量GaAs衬底上AlGaAs外延层中Al含量的试验方法。
本方法适用于在未掺杂GaAs衬底<001>方向上生长的AlGaAs外延层中Al含量的测定，使用本方法测量Al元素含量时，AlGaAs外延层厚度应大于300 nm。

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1.1　本标准规定了硅片表面的有机污染物的定性和定量方法，采用气质联用仪或磷选择检测器或者两者同时采用。1.2　本标准描述了热解吸气相色谱仪（TD-GC）以及有关样品制备和分析的相关程序。

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本标准规定了太阳能电池用砷化镓单晶棒（以下简称砷化镓单晶棒）的分类、技术要求、检验方法和规则以及标志、包装、运输和贮存。
本标准适用于制造砷化镓太阳能电池的砷化镓单晶滚圆棒。

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1.1 本标准规定了半导体器件制备中用作检验和工艺控制的硅单晶试验片的技术要求。
1.2 本标准涵盖尺寸规格、结晶取向及表面缺陷等特性要求。本标准涉及了50.8 mm～300 mm所有标准直径的硅抛光试验片技术要求。
1.3 对于更高要求的硅单晶抛光片规格，如：颗粒测试硅片、光刻分辨率试验用硅片以及金属离子监控片等，参见SEMI 24《硅单晶优质抛光片规范》。

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本标准规定了用热氧化和化学择优腐蚀技术检验抛光片或外延片表面因沾污造成的浅腐蚀坑的检测方法。
本标准适用于检测〈111〉或〈100〉晶向的p型或n型抛光片或外延片，电阻率大于0.001 Ω·cm。

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本标准规定了掺硼、掺磷、掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度之间的换算关系，该换算关系也适用于掺锑硅单晶，还可扩展至硅中激活能与硼、磷相似的其他掺杂剂。

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本标准规定了半导体多晶、单晶、晶片、外延片等产品的牌号表示方法。本标准适用于半导体多晶、单晶、晶片、外延片等产品的牌号表示，其他半导体材料牌号表示可参照执行。

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本标准规定重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法。
本标准适用于衬底在23 ℃电阻率小于0.02 Ω·cm和外延层在23 ℃电阻率大于0.1 Ω·cm且外延层厚度大于2 μm的n型和p型硅外延层厚度的测量；在降低精度情况下，该方法原则上也适用于测试0.5 μm～2 μm之间的n型和p型外延层厚度。

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本标准规定了用择优腐蚀技术检验硅晶体完整性的方法。
本标准适用于晶向为〈111〉、〈100〉或〈110〉、电阻率为10-3 Ω·cm～104 Ω·cm、位错密度在0 cm-2～105 cm-2之间的硅单晶锭或硅片中原生缺陷的检验。
本方法也适用于硅单晶片。

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本文件规定了多晶硅棒取样、将样品区熔拉制成单晶以及通过低温红外光谱法或光致发光光谱法对拉制好的单晶硅棒进行分析以确定多晶硅中施主、受主、代位碳和间隙氧杂质含量等的规程。本文件适用于评价硅芯上沉积生长的棒状多晶硅。

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本标准规定了直径不小于50 mm，厚度不小于100 μm的切割、研磨、腐蚀、抛光、外延或其他表面状态的硅片平整度、厚度及总厚度变化的测试。
本标准为非破坏性、无接触的自动扫描测试方法，适用于洁净、干燥硅片的平整度和厚度测试，且不受硅片的厚度变化、表面状态和硅片形状的影响。

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