【国家标准】掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程

本网站发布时间： 2015-09-01

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标准简介

本标准规定了掺硼、掺磷、掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度之间的换算关系，该换算关系也适用于掺锑硅单晶，还可扩展至硅中激活能与硼、磷相似的其他掺杂剂。

标准号：
GB/T 13389-2014
标准名称：
掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程
英文名称：
Practice for conversion between resistivity and dopant density for boron-doped,phosphorus-doped,and arsenic-doped silicon
标准状态：
现行
发布日期：
2014-12-31
实施日期：
2015-09-01
出版语种：
中文简体

起草人：
孙燕、梁洪、高英、楼春兰、张静、王飞尧、曹孜、何良恩、张海英、张群社
起草单位：
有研半导体材料股份有限公司、四川新光硅业科技有限责任公司、中国计量科学研究院、浙江省硅材料质量检验中心、杭州海纳半导体有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、西安隆基硅材料股份有限公司
归口单位：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC 203/SC 2)
提出部门：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC 203/SC 2)
发布部门：
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会

【国家标准】 掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程