【行业标准】非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法

本网站发布时间： 2020-05-18

YS/T 679-2008
被代替
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标准简介

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适用范围：

.1　本标准适用于非本征单晶半导体材料样品或相同导电类型重掺衬底上沉积已知电阻率的同质外延层中的少数载流子扩散长度的测量。要求样品或外延层厚度大于4倍的扩散长度。
1.2　本标准是为单晶硅样品的应用而开发的，可用于测量其他半导体，如砷化镓（同时调整相应的光照波长（能量）范围和样品的制备工艺）上的有效扩散长度和评价晶粒间界垂直于表面的多晶硅样品上有效扩散长度。本标准也可用于硅片的洁净区的宽度测定。
1.3　本标准对样品的电阻率和寿命的应用极限尚未确定，但已经成功的对电阻率（0.1～50）Ω·cm、载流子寿命短至2 ns的p和n型硅样品进行了测量。本标准测量的扩散长度仅在室温22℃±0.5℃下进行，寿命和扩散长度是温度的函数。

读者对象：

非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试的相关技术人员

基本信息

标准号：
YS/T 679-2008
标准名称：
非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法
英文名称：
Test methods for minority carrier diffusion length in extrinsic semiconductors by measurement of steady-state surface photovoltage
标准状态：
被代替
发布日期：
2008-03-12
实施日期：
2008-09-01
出版语种：
中文简体

标准分类号

标准ICS号：
29.045
中标分类号：
H80

关联标准

替代以下标准：
被以下标准替代：
引用标准：
采用标准：
MOD 修改采用

出版信息

页数：
16 页
字数：
24 千字
开本：
大16 开

其他信息

起草人：
孙燕、卢立延、杜娟、李俊峰、翟富义
起草单位：
有研半导体材料股份有限公司
归口单位：
全国有色金属标准化技术委员会
提出部门：
全国有色金属标准化技术委员会
发布部门：
国家发展和改革委员会

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