- 您的位置:
- 快3网下载安装到手机 >>
- 全部标准分类 >>
- 国家标准 >>
- L56 >>
- GB/T 43034.2-2024 集成电路 脉冲抗扰度测量 第2部分:同步瞬态注入法

【国家标准】 集成电路 脉冲抗扰度测量 第2部分:同步瞬态注入法
本网站 发布时间:
2024-11-21
开通会员免费在线看70000余条国内标准,赠送文本下载次数,单本最低仅合13.3元!还可享标准出版进度查询、定制跟踪推送、标准查新等超多特权!  
查看详情>>

文前页下载
适用范围:
本文件给出了评价集成电路(IC)对快速传导同步瞬态骚扰抗扰度试验方法的通用信息和定义。这些信息包括试验条件、试验设备、试验布置、试验程序和试验报告的内容要求。
本文件的目的是描述通过建立相同的试验环境获得IC抗扰度的定量度量的通用条件,同时也描述了预期会影响试验结果的关键参数。与本文件的偏离需在试验报告中明确地注明。
本文件给出的同步瞬态抗扰度测量方法是使用具有不同幅值、持续时间和极性的,上升时间快速的短脉冲以传导的方式耦合给IC。在本方法中,施加的脉冲需与IC的功能运行同步,目的是确保可控的和可复现的条件。
本文件的目的是描述通过建立相同的试验环境获得IC抗扰度的定量度量的通用条件,同时也描述了预期会影响试验结果的关键参数。与本文件的偏离需在试验报告中明确地注明。
本文件给出的同步瞬态抗扰度测量方法是使用具有不同幅值、持续时间和极性的,上升时间快速的短脉冲以传导的方式耦合给IC。在本方法中,施加的脉冲需与IC的功能运行同步,目的是确保可控的和可复现的条件。
标准号:
GB/T 43034.2-2024
标准名称:
集成电路 脉冲抗扰度测量 第2部分:同步瞬态注入法
英文名称:
Integrated circuits—Measurement of impulse immunity—Part 2:Synchronous transient injection method标准状态:
现行-
发布日期:
2024-10-26 -
实施日期:
2024-10-26 出版语种:
中文简体
起草人:
付君、崔强、方文啸、吴建飞、张海峰、张艳艳、莫国延、李旸、梁吉明、胡小军、邢立文、郑益民、杨红波、董奇峰、熊宇飞、颜伟、褚瑞、康志能、魏海红、陈梅双起草单位:
中国电子技术标准化研究院、深圳市北测标准技术服务有限公司、安徽中认倍佳科技有限公司、工业和信息化部电子第五研究所、厦门海诺达科学仪器有限公司、天津先进技术研究院、北京智芯微电子科技有限公司、苏州泰思特电子科技有限公司、南京容测检测技术有限公司、浙江诺益科技有限公司、扬芯科技(深圳)有限公司、国家无线电监测中心检测中心、中国家用电器研究院、中国信息通信研究院、南京师范大学、东莞职业技术学院归口单位:
全国集成电路标准化技术委员会(SAC/TC 599)提出部门:
中华人民共和国工业和信息化部发布部门:
快3网下载安装到手机 、国家标准化管理委员会
- 推荐标准
- GB/T 44924-2024 半导体集成电路 射频发射器/接收器测试方法
- GB/T 20870.10-2023 半导体器件 第16-10部分:单片微波集成电路技术可接收程序
- GB/T 20870.4-2024 半导体器件 第16-4部分:微波集成电路 开关
- GB/T 20870.5-2023 半导体器件 第16-5部分:微波集成电路 振荡器
- GB/T 3436-1996 半导体集成电路 运算放大器系列和品种
- GB/T 35008-2018 串行NOR型快闪存储器接口规范
- GB/T 35009-2018 串行NAND型快闪存储器接口规范
- GB/T 36474-2018 半导体集成电路 第三代双倍数据速率同步动态随机存储器(DDR3 SDRAM)测试方法
- GB/T 36477-2018 半导体集成电路 快闪存储器测试方法
- GB/T 17572-1998 半导体器件 集成电路 第2部分:数字集成电路 第四篇 CMOS数字集成电路 4000B和4000UB系列族规范
- GB/T 17574.10-2003 半导体器件 集成电路 第2-10部分:数字集成电路集成电路动态 读/写存储器空白详细规范
- GB/T 17574.20-2006 半导体器件 集成电路 第2-20部分:数字集成电路 低压集成电路族规范
- GB/T 17574.9-2006 半导体器件 集成电路 第2-9部分:数字集成电路 紫外光擦除电可编程MOS只读存储器 空白详细规范
- GB/T 17864-1999 关键尺寸(CD)计量方法
- GB/T 17865-1999 焦深与最佳聚焦的测量规范