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【国家标准】 硅片表面平整度测试方法

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适用范围:

本标准规定了用电容位移传感器测定硅抛光片平整度的方法,切割片、研磨片、腐蚀片也可参考此方法。
本标准适用于测量标准直径76 mm、100 mm、125 mm、150 mm、200 mm,电阻率不大于200 Ω·cm厚度不大于1 000 μm的硅抛光片的表面平整度和直观描述硅片表面的轮廓形貌。

读者对象:

硅片表面平整度测试相关人员。

基本信息

  • 标准号:

    GB/T 6621-2009

  • 标准名称:

    硅片表面平整度测试方法

  • 英文名称:

    Testing methods for surface flatness of silicon slices
  • 标准状态:

    现行
  • 发布日期:

    2009-10-30
  • 实施日期:

    2010-06-01
  • 出版语种:

    中文简体

标准分类号

  • 标准ICS号:

    29.045
  • 中标分类号:

    H80

关联标准

  • 替代以下标准:

  • 被以下标准替代:

  • 引用标准:

  • 采用标准:

出版信息

  • 页数:

    8 页
  • 字数:

    7 千字
  • 开本:

    大16 开

其他信息

  • 起草人:

    徐新华、严世权、王珍
  • 起草单位:

    上海合晶硅材料有限公司
  • 归口单位:

    全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
  • 提出部门:

    全国半导体设备和材料标准化技术委员会
  • 发布部门:

    中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
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